Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70R1K4P7SAUMA1
- RS Stock No.:
- 214-9047
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD70R1K4P7SAUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*
THB564.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB604.35
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 12,150 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 50 - 600 | THB11.296 | THB564.80 |
| 650 - 1200 | THB11.013 | THB550.65 |
| 1250 + | THB10.843 | THB542.15 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-9047
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD70R1K4P7SAUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 700V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | CoolMOS P7 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 22.7W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.73mm | |
| Height | 2.41mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 700V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series CoolMOS P7 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 22.7W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.73mm | ||
Height 2.41mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest CoolMOS P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc. The new series provides all the benefits of a fast switching Super junction MOSFET, combined with an excellent price/performance ratio and state of the art ease-of-use level. The technology meets highest efficiency standards and supports high power density, enabling customers going towards very slim designs.
It has Excellent thermal behaviour
Integrated ESD protection diode
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R1K2P7SAKMA1
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin IPAK IPSA70R750P7SAKMA1