Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET, 4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70R1K4P7SAUMA1

RS Stock No.:: 214-9047
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD70R1K4P7SAUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET, 4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70R1K4P7SAUMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*

THB848.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB907.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

12,150 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
50 - 600	THB16.96	THB848.00
650 - 1200	THB16.535	THB826.75
1250 +	THB16.281	THB814.05

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-9047
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD70R1K4P7SAUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	700V
	Package Type	TO-252
	Series	CoolMOS P7
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.4Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Power Dissipation Pd	22.7W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	4.7nC
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	2.41mm
	Length	6.73mm
	Width	6.22mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 700V
	Package Type TO-252
	Series CoolMOS P7
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Power Dissipation Pd 22.7W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.7nC
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 2.41mm
	Length 6.73mm
	Width 6.22mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPD70R1K4P7SAUMA1

Infineon CoolMOS P7 Series MOSFET, 700V Maximum Drain Source Voltage, 4A Maximum Continuous Drain Current - IPD70R1K4P7SAUMA1

This MOSFET is a high-voltage switching device designed for power conversion and drive applications. It operates across a wide temperature range and provides N-channel enhancement-mode switching capability suitable for surface-mounted assemblies in demanding electrical systems.

Features and Benefits:

• 700 V drain rating enables high-voltage switching applications
• 4 A continuous drain current supports moderate load currents
• 1.4 Ω low RDS(on) reduces conduction losses under load
• 22.7 W power dissipation allows sustained thermal handling
• 4.7 nC typical gate charge enables efficient switching control
• 16 V gate rating permits substantial gate-drive headroom

Applications

• Suitable for SMPS primary switch stages
• Ideal for motor-drive half-bridge switches
• Used with high-voltage industrial power supplies
• Can be used for switch-mode power regulation
• Appropriate for surface-mount power assemblies

What thermal range is acceptable for operation?

It is specified to function from −40 °C up to 150 °C.

What package style and mounting method does it use?

It is supplied in a TO-252 package and intended for surface mounting.

How many pins are available for PCB connection?

There are three electrical pins for standard MOSFET connection.

What is the typical forward voltage when conducting?

The forward voltage under specified conditions is 0.9 V.

What channel characteristics affect device behaviour?

It is an N-channel, enhancement-mode device with specified gate and drain limits.