Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70R1K4P7SAUMA1

RS Stock No.:: 214-9047
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD70R1K4P7SAUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70R1K4P7SAUMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*

THB538.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB575.85

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

12,200 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
50 - 600	THB10.764	THB538.20
650 - 1200	THB10.494	THB524.70
1250 +	THB10.333	THB516.65

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-9047
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD70R1K4P7SAUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	700V
	Series	CoolMOS P7
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.4Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Power Dissipation Pd	22.7W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	4.7nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	2.41mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.73mm
	Width	6.22 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 700V
	Series CoolMOS P7
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Power Dissipation Pd 22.7W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.7nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 2.41mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.73mm
	Width 6.22 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPD70R1K4P7SAUMA1

The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest CoolMOS P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc. The new series provides all the benefits of a fast switching Super junction MOSFET, combined with an excellent price/performance ratio and state of the art ease-of-use level. The technology meets highest efficiency standards and supports high power density, enabling customers going towards very slim designs.

It has Excellent thermal behaviour

Integrated ESD protection diode

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70R1K4P7SAUMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง