Infineon 600V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 5 A, 600 V, 3-Pin TO-251
- RS Stock No.:
- 218-3074
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPS60R1K5CEAKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 75 ชิ้น)*
THB1,434.675
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,535.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 1,125 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | THB19.129 | THB1,434.68 |
| 150 - 225 | THB18.555 | THB1,391.63 |
| 300 + | THB17.999 | THB1,349.93 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-3074
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPS60R1K5CEAKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | 600V CoolMOS CE | |
| Package Type | TO-251 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.5Ω | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 9nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 49W | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.73mm | |
| Height | 6.22mm | |
| Width | 2.4 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series 600V CoolMOS CE | ||
Package Type TO-251 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 49W | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.73mm | ||
Height 6.22mm | ||
Width 2.4 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V CoolMOS™ series N-channel Power MOSFET. The CoolMOS™ CE is suitable for hard and soft switching applications and as modern superjunction, it delivers low conduction and switching losses improving efficiency and ultimately reduces power consumption.
Very high commutation ruggedness
Easy to use/drive
Pb-free plating, Halogen free mold compound
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 600V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-251 IPS60R1K5CEAKMA1
- Infineon 600V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin IPAK
- Infineon 600V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V N, 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin IPAK IPU60R2K1CEAKMA1
- Infineon 600V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V N, 3-Pin TO-220 IPA60R1K0CEXKSA1
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS60R800CEAKMA1