Infineon 600V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 3.7 A, 600 V, 3-Pin IPAK IPU60R2K1CEAKMA1
- RS Stock No.:
- 218-3082
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPU60R2K1CEAKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*
THB662.90
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB709.30
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 8,800 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 50 + | THB13.258 | THB662.90 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-3082
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPU60R2K1CEAKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | IPAK | |
| Series | 600V CoolMOS CE | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.1Ω | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 22W | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.73mm | |
| Width | 2.41 mm | |
| Height | 6.22mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type IPAK | ||
Series 600V CoolMOS CE | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.1Ω | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 22W | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.73mm | ||
Width 2.41 mm | ||
Height 6.22mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V CoolMOS™ CE series N-channel power MOSFET. The CoolMOS™ CE series provides all benefits of a fast switching Superjunction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best cost down performance ratio available on the market. This MOSFET is used in PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages.
Very high commutation ruggedness
Easy to use/drive
Pb-free plating, Halogen free mold compound
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 600V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin IPAK
- Infineon 600V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-251 IPS60R1K5CEAKMA1
- Infineon 600V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V N, 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V N, 3-Pin TO-220 IPA60R1K0CEXKSA1
- Infineon 600V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin IPAK IPU60R1K5CEAKMA2
- Infineon 700V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 700 V, 3-Pin IPAK IPSA70R2K0CEAKMA1
