Infineon 600V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 5 A, 600 V, 3-Pin TO-251 IPS60R1K5CEAKMA1
- RS Stock No.:
- 218-3075
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPS60R1K5CEAKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*
THB956.45
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,023.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,150 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 50 + | THB19.129 | THB956.45 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-3075
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPS60R1K5CEAKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-251 | |
| Series | 600V CoolMOS CE | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.5Ω | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 9nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 49W | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.73mm | |
| Width | 2.4 mm | |
| Height | 6.22mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-251 | ||
Series 600V CoolMOS CE | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 49W | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.73mm | ||
Width 2.4 mm | ||
Height 6.22mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V CoolMOS™ series N-channel Power MOSFET. The CoolMOS™ CE is suitable for hard and soft switching applications and as modern superjunction, it delivers low conduction and switching losses improving efficiency and ultimately reduces power consumption.
Very high commutation ruggedness
Easy to use/drive
Pb-free plating, Halogen free mold compound
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 600V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-251
- Infineon 600V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin IPAK
- Infineon 600V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin IPAK IPU60R2K1CEAKMA1
- Infineon 600V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V N, 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V N, 3-Pin TO-220 IPA60R1K0CEXKSA1
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220FP IPA60R1K5CEXKSA1