Infineon 600V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 6.8 A, 600 V N, 3-Pin TO-220 IPA60R1K0CEXKSA1
- RS Stock No.:
- 218-3001
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPA60R1K0CEXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB403.06
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB431.28
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 160 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 + | THB20.153 | THB403.06 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-3001
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPA60R1K0CEXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | 600V CoolMOS CE | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1Ω | |
| Channel Mode | N | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13nC | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 61W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 29.75mm | |
| Height | 16.15mm | |
| Width | 4.9 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series 600V CoolMOS CE | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1Ω | ||
Channel Mode N | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 61W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 29.75mm | ||
Height 16.15mm | ||
Width 4.9 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V CoolMOS™ CE series N-channel power MOSFET. The CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies . It is used in PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages, for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV and indoor lighting.
Very high commutation ruggedness
Easy to use/drive
Pb-free plating, Halogen free mold compound
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 600V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V N, 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin IPAK
- Infineon 600V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin IPAK IPU60R2K1CEAKMA1
- Infineon 600V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-251 IPS60R1K5CEAKMA1
- Infineon 600V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R1K0CEAUMA1
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon 500V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 500 V N, 3-Pin TO-252 IPD50R1K4CEAUMA1