Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 38 A, 100 V Enhancement, 3-Pin I2PAK

RS Stock No.:: 650-3707
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF5210LPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 38 A, 100 V Enhancement, 3-Pin I2PAK

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB505.99

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB541.41

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

5 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 10	THB101.198	THB505.99
15 - 20	THB98.67	THB493.35
25 +	THB97.156	THB485.78

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 650-3707
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF5210LPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	38A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	I2PAK (TO-262)
	Series	HEXFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	60mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	170W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	150nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Forward Voltage Vf	1.6V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	Lead-Free
	Length	10.54mm
	Height	10.54mm
	Width	4.69 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 38A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type I2PAK (TO-262)
	Series HEXFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 170W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 150nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Forward Voltage Vf 1.6V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals Lead-Free
	Length 10.54mm
	Height 10.54mm
	Width 4.69 mm
	Automotive Standard No

P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 38 A, 100 V Enhancement, 3-Pin I2PAK

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง