Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 2 N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Stock No.:
- 249-6921
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPG20N06S4L26ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB203.79
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB218.05
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 725 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB40.758 | THB203.79 |
| 10 - 95 | THB39.536 | THB197.68 |
| 100 - 245 | THB38.35 | THB191.75 |
| 250 - 495 | THB37.198 | THB185.99 |
| 500 + | THB36.082 | THB180.41 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 249-6921
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPG20N06S4L26ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SuperSO8 5 x 6 | |
| Series | OptiMOSTM-T2 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Channel Mode | N | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 33W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16V | |
| Transistor Configuration | Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SuperSO8 5 x 6 | ||
Series OptiMOSTM-T2 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Channel Mode N | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 33W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16V | ||
Transistor Configuration Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 2 N-Channel MOSFET 60 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Dual N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 N-Channel MOSFET 100 V Dual N, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOS-T2 2 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode IPG20N06S4L-11 N-Channel MOSFET 60 V TDSON
- Infineon Dual N Channel Normal Level Enhancement Mode IPG16N10S4-61 N-Channel MOSFET 100 V Dual N, 8-Pin SuperSO8
- Infineon Dual N Channel OptiMOSTM 2 N-Channel MOSFET & Diode 30 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC0924NDIATMA1
- Infineon Dual N Channel Normal Level IPG20N06S4-15A 2 N-Channel MOSFET 60 V Dual N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6