Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel Power MOSFET, 20 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON-8-4
- RS Stock No.:
- 273-2628
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC076N04NDATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB226.41
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB242.26
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 90 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB45.282 | THB226.41 |
| 50 - 495 | THB41.144 | THB205.72 |
| 500 - 995 | THB32.294 | THB161.47 |
| 1000 - 2495 | THB31.606 | THB158.03 |
| 2500 + | THB31.032 | THB155.16 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-2628
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC076N04NDATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TDSON-8-4 | |
| Series | OptiMOS-T2 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 65W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TDSON-8-4 | ||
Series OptiMOS-T2 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 65W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon Power MOSFET is a N channel 40 V power MOSFET. This MOSFET optimized for drives applications and it is 100 percent avalanche tested. It is qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47 20 2.
Halogen free
RoHS compliant
Pb free lead plating
Fast switching MOSFETs
Superior thermal resistance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON-8-4 BSC076N04NDATMA1
- Infineon Enhancement Mode OptiMOS-T2 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Enhancement Mode OptiMOS-T2 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N04S4L08AATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel Power MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 BSC152N15LS5ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel Power MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 BSC088N15LS5ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel Power MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 BSC105N15LS5ATMA1
- Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON