Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 7 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R750P7ATMA1

RS Stock No.:: 214-9053
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD80R750P7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 7 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R750P7ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 15 ชิ้น)*

THB583.455

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB624.30

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,415 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
15 - 615	THB38.897	THB583.46
630 - 1230	THB37.925	THB568.88
1245 +	THB37.341	THB560.12

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-9053
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD80R750P7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	TO-252
	Series	CoolMOS P7
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	750mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	17nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	51W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.73mm
	Standards/Approvals	No
	Height	2.41mm
	Width	6.22 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type TO-252
	Series CoolMOS P7
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 750mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 51W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.73mm
	Standards/Approvals No
	Height 2.41mm
	Width 6.22 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPD80R750P7ATMA1

The Infineon latest 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation. These are easy to drive and to parallel, enabling higher power density designs, BOM savings and lower assembly costs. These are recommended for hard and soft switching fly back topologies for LED Lighting, low power Chargers and Adapters, Audio, AUX power and Industrial power.

It comes with Fully optimized portfolio

Integrated Zener Diode ESD protection

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 7 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R750P7ATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง