Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252

RS Stock No.:: 219-5992
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD80R600P7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB63,270.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB67,700.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB25.308	THB63,270.00
5000 - 5000	THB24.549	THB61,372.50
7500 +	THB23.812	THB59,530.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 219-5992
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD80R600P7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	TO-252
	Series	CoolMOS P7
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	600mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	20nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	60W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	2.41mm
	Standards/Approvals	No
	Width	6.22 mm
	Length	6.73mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type TO-252
	Series CoolMOS P7
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 600mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 60W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 2.41mm
	Standards/Approvals No
	Width 6.22 mm
	Length 6.73mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPD80R600P7ATMA1

The Infineon 800V CoolMOS P7 superjunction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on flyback applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power. This new product family offers up to 0.6% efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature compared to its predecessor as well as to competitor parts tested in typical flyback applications. It also enables higher power density designs through lower switching losses and better DPAK R DS(on) products. Overall, it helps customers save BOM cost and reduce assembly effort.

Easy to drive and to design-in

Better production yield by reducing ESD related failures

Less production issues and reduced field returns

Easy to select right parts for fine tuning of designs

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง