Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET, 7 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R750P7ATMA1
- RS Stock No.:
- 214-9052
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD80R750P7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 5000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 3%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB85,727.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB91,727.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB34.291 | THB85,727.50 | - |
| 5000 - 7500 | THB33.262 | THB83,155.00 | 3% |
| 10000 + | THB32.265 | THB80,662.50 | 5% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-9052
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD80R750P7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | CoolMOS P7 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 750mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 900mV | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 51W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 6.22mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Height | 2.41mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series CoolMOS P7 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 750mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 900mV | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 51W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 6.22mm | ||
Length 6.73mm | ||
Height 2.41mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R750P7ATMA1
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R750P7ATMA1
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA80R750P7XKSA1
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET & Diode 800 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPU80R750P7AKMA1
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET & Diode 800 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS80R750P7AKMA1
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R3K3P7ATMA1
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R600P7ATMA1
