Vishay SiSS78LDN N-Channel MOSFET, 66.7 A, 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SiSS78LDN-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
210-5019
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiSS78LDN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Series

SiSS78LDN

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

66.7 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

70 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

8

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Automotive Standard

No

Forward Voltage (Vf)

1.1 V

Height

830 μm

Length

3.4 mm

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

4.8 mΩ

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

20 V

Maximum Operating Temperature

150 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

57 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Mount Type

Surface

Standards/Approvals

No

Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs

32 nC

Width

3.4 mm

The Vishay N-Channel 70 V (D-S) MOSFET has PowerPAK 1212-8S package type.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง