Vishay N-Channel MOSFET, 430 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR178DP-T1-RE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB116,181.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB124,314.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 10 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB38.727THB116,181.00
6000 - 9000THB37.565THB112,695.00
12000 +THB36.438THB109,314.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
210-4998
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIR178DP-T1-RE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

430A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.31mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

204nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12V

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.25mm

Height

1.12mm

Standards/Approvals

No

Width

5.26mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 20 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8 package type with 430 A drain current.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Leadership RDS(ON) minimizes power loss from conduction

2.5 V ratings and operation at low voltage gate drive

100 % Rg and UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง