Vishay SiD N channel-Channel MOSFET, 153 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiDR5802EP

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB137.63

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB147.26

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 14 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB137.63
10 - 24THB89.61
25 - 99THB47.03
100 - 499THB45.55
500 +THB44.56

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
735-134
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiDR5802EP
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

153A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK SO-8

Series

SiD

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0029Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

37.3nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Forward Voltage Vf

80V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

7mm

Height

2mm

Width

6mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE
The Vishay N-Channel MOSFET rated at 80V drain-source voltage for high-efficiency power conversion in AI server and data center applications. It features ultra-low on-resistance of 2.9mΩ maximum at 10V gate drive to reduce conduction losses in synchronous buck topologies.

153A continuous drain current at TC=25°C

28nC typical total gate charge for fast switching

-55°C to +175°C extended temperature range

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง