Vishay E Type N-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB3,892.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB4,165.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 2,750 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
50 - 50THB77.85THB3,892.50
100 - 150THB76.158THB3,807.90
200 +THB74.465THB3,723.25

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
210-4976
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHB21N80AE-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

17.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

E

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

205mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

48nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

14.61mm

Standards/Approvals

No

Height

4.06mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has D2PAK (TO-263) package type with 17.4 A drain current.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง