Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET, 16 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220

RS Stock No.:: 204-7248
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHF068N60EF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET, 16 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB117,839.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB126,088.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
1000 - 1000	THB117.839	THB117,839.00
2000 - 3000	THB114.304	THB114,304.00
4000 +	THB110.874	THB110,874.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 204-7248
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHF068N60EF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	16A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	EF
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	68mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	39W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	51nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	10mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	28.6mm
	Height	4.6mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 16A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series EF
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 68mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 39W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 10mm
	Standards/Approvals RoHS
	Length 28.6mm
	Height 4.6mm
	Automotive Standard No

Vishay Series EF Power MOSFET, 600V Maximum Drain Source Voltage, 16A Maximum Continuous Drain Current - SIHF068N60EF-GE3

This power MOSFET is a high-voltage N-channel enhancement device intended for power switching and control in industrial and electronic systems. It is optimised for through-hole mounting in TO-220 packages and suits applications requiring robust voltage handling and gate-drive flexibility. The device operates across a wide temperature range and is suitable for designs where conventional surface-mount parts are impractical.

Features and Benefits:

• 600V drain-source rating enables high-voltage switching capability • 68mΩ Rds(on) minimises conduction losses during load operation • 16A continuous drain current supports moderate power loads • 51nC typical gate charge allows predictable switching performance • 39W maximum power dissipation manages thermal loading in circuits • 30V gate tolerance permits compatibility with standard gate drivers

Applications

• Suitable for mains-side switching in industrial converters • Ideal for high-voltage motor drive front-ends • Used for switch-mode power supplies handling elevated voltages • Can be used for power-factor correction stages in larger systems • Used with discrete power assemblies requiring through-hole mounting

What temperature extremes can the device withstand during operation?

It is specified to operate down to -55°C and up to 150°C, accommodating cold-start conditions and high-temperature environments.

How should thermal management be approached for sustained operation?

With a 39W maximum dissipation, a heatsink or chassis mounting is recommended to maintain junction temperature within safe limits during continuous loads.

What gate-drive considerations are necessary for reliable switching?

The gate must be driven within ±30V

the typical gate charge of 51nC helps estimate required driver current and switching losses.

Does the packaging affect board assembly choices?

The through-hole TO-220 format facilitates manual or wave solder assembly and provides a robust mechanical connection for high-power layouts.