Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET, 21 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB189.92

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB203.21

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB189.92
10 +THB184.07

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
653-176
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHB155N60EF-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-263

Series

EF

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.159Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

9.65mm

Length

2.79mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Vishay Series EF Power MOSFET, 600V Maximum Drain Source Voltage, 21A Maximum Continuous Drain Current - SIHB155N60EF-GE3


This power MOSFET is a high-voltage N-channel switching device designed for power conversion and control in industrial electronics. It operates as an enhancement-mode transistor suitable for through-hole mounting and is intended for applications requiring robust switching at elevated voltages and currents.

Features and Benefits:


• 600V drain rating enables high-voltage switching applications • 21 A continuous drain current supports substantial load handling • 0.159 Ω Rds(on) reduces conduction losses for efficient operation • 179W power dissipation allows sustained thermal load management • 25 nC typical gate charge facilitates Rapid switching transitions • 30V maximum gate tolerance permits common gate-drive voltages

Applications


• Suitable for high-voltage power supplies in automation equipment • Ideal for motor-drive stages requiring through-hole components • Used for industrial switch-mode power supplies with high dissipation • Can be used for power conversion modules in electrical systems • Suitable for prototyping and serviceable installations needing through-hole parts

What mounting considerations apply for thermal management?


The device uses a TO-263 through-hole package that benefits from a substantial heatsink or PCB copper area to dissipate up to 179W under appropriate cooling conditions.

How does gate charge influence gate-drive design?


A typical gate charge of 25 nC at rated gate drive affects switching losses and dictates driver current capability for desired rise and fall times.

What temperature range can be expected during operation?


The component is specified to operate down to -55 °C and up to 150 °C, requiring suitable thermal design to maintain junction temperatures within limits.

Are there restrictions on gate voltage during use?


Gate-source voltage must not exceed 30V to prevent gate oxide stress and ensure long-term reliability.

What electrical characteristics impact efficiency in power supplies?


The combination of low Rds(on) and the 600V drain capability reduces conduction and switching losses in high-voltage converter topologies.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง