Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET, 18 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP186N60EF-GE3

RS Stock No.:: 200-6818
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHP186N60EF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET, 18 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP186N60EF-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 50 ชิ้น)*

THB4,678.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB5,005.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 950 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
50 - 50	THB93.56	THB4,678.00
100 - 150	THB90.753	THB4,537.65
200 +	THB88.031	THB4,401.55

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 200-6818
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHP186N60EF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-220AB
	Series	EF
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	193mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	32nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Maximum Power Dissipation Pd	156W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	4.65mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	10.52mm
	Height	14.4mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-220AB
	Series EF
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 193mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 32nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Maximum Power Dissipation Pd 156W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 4.65mm
	Standards/Approvals RoHS
	Length 10.52mm
	Height 14.4mm
	Automotive Standard No

Document- SIHP186N60EF-GE3

Vishay Series EF Power MOSFET, 650V Drain Source Voltage, 18A Drain Current - SIHP186N60EF-GE3

This power MOSFET is a high-voltage switching device designed for demanding power-electronic roles in industrial systems. It functions as an N-channel enhancement-mode transistor for control of high-voltage DC loads and switching stages, intended for through-hole mounting in equipment where robust conduction and thermal handling are required.

Features and Benefits:

• 650V maximum drain voltage enables high-voltage switching
• 18A continuous drain current supports substantial load currents
• 193mΩ RDS(on) reduces conduction losses during operation
• 32nC typical gate charge enables predictable switching performance
• 156W maximum power dissipation aids thermal design choices
• 30V gate tolerance allows flexible drive voltage ranges

Applications

• Suitable for high-voltage inverter front ends in industrial drives
• Ideal for switch-mode power supplies handling elevated DC bus voltages
• Used for discrete power stages in automation and motor-control units
• Can be used for load-switching in power distribution modules

What operating temperature range can it withstand?

It operates from -55°C to 150°C, enabling use across varied thermal environments and elevated-temperature applications.

How is the device intended to be mounted in equipment?

It is supplied in a through-hole TO-220AB package with three pins suitable for secure board mounting and straightforward heatsinking options.

What is the expected gate drive characteristic for switching design?

With a typical gate charge of 32nC at rated conditions, designers can estimate gate-drive energy and choose appropriate drivers for target switching speeds.

What mechanical footprint considerations should be noted?

The package presents Compact external dimensions with a moderate profile, facilitating integration where vertical clearance and board retention are factors.