onsemi Dual N NTTF 1 Type N-Channel MOSFET, 38 A, 60 V Enhancement, 12-Pin WQFN NTTFD9D0N06HLTWG
- RS Stock No.:
- 202-5721
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTTFD9D0N06HLTWG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB1,349.525
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,444.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 725 | THB53.981 | THB1,349.53 |
| 750 - 1475 | THB52.631 | THB1,315.78 |
| 1500 + | THB51.821 | THB1,295.53 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 202-5721
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTTFD9D0N06HLTWG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 38A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | NTTF | |
| Package Type | WQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 12 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.79V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 26W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Dual N | |
| Length | 3.3mm | |
| Height | 0.75mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 38A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series NTTF | ||
Package Type WQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 12 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.79V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 26W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Dual N | ||
Length 3.3mm | ||
Height 0.75mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor Symmetrical Dual N-Channel MOSFET includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. It is used in Computing, Communications, General purpose point of load applications.
Low inductance packaging
Lower switching losses
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Dual N NTTF 1 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 12-Pin WQFN
- onsemi N-Channel NTTF 1 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 12-Pin WQFN
- onsemi N-Channel NTTF 1 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 12-Pin WQFN NTTFD4D0N04HLTWG
- DiodesZetex Dual DMHT10H032LFJ 1 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 12-Pin VDFN
- DiodesZetex Dual DMHT10H032LFJ 1 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 12-Pin VDFN DMHT10H032LFJ-13
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH68N06NM5ATMA1
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH99N06NM5ATMA1
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH86N06NM5ATMA1