onsemi N-Channel NTTF 1 Type N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 12-Pin WQFN
- RS Stock No.:
- 202-5717
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTTFD4D0N04HLTWG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB99,465.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB106,428.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 6,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB33.155 | THB99,465.00 |
| 6000 - 9000 | THB32.434 | THB97,302.00 |
| 12000 + | THB31.714 | THB95,142.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 202-5717
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTTFD4D0N04HLTWG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | NTTF | |
| Package Type | WQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 12 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 18nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 26W | |
| Forward Voltage Vf | 0.78V | |
| Transistor Configuration | N-Channel | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.75mm | |
| Length | 3.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series NTTF | ||
Package Type WQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 12 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 26W | ||
Forward Voltage Vf 0.78V | ||
Transistor Configuration N-Channel | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.75mm | ||
Length 3.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor Symmetrical Dual N-Channel MOSFET includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. It is used in Computing, Communications, General purpose point of load applications.
Low inductance packaging
Lower switching losses
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi N-Channel NTTF 1 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 12-Pin WQFN NTTFD4D0N04HLTWG
- onsemi Dual N NTTF 1 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 12-Pin WQFN NTTFD9D0N06HLTWG
- onsemi Dual N NTTF 1 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 12-Pin WQFN
- DiodesZetex Dual DMHT10H032LFJ 1 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 12-Pin VDFN DMHT10H032LFJ-13
- DiodesZetex Dual DMHT10H032LFJ 1 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 12-Pin VDFN
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH68N06NM5ATMA1
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH86N06NM5ATMA1
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH99N06NM5ATMA1