onsemi Dual N NTTF 1 Type N-Channel MOSFET, 38 A, 60 V Enhancement, 12-Pin WQFN
- RS Stock No.:
- 202-5719
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTTFD9D0N06HLTWG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB108,822.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB116,439.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB36.274 | THB108,822.00 |
| 6000 - 9000 | THB35.485 | THB106,455.00 |
| 12000 + | THB34.696 | THB104,088.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 202-5719
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTTFD9D0N06HLTWG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 38A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | NTTF | |
| Package Type | WQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 12 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13.5nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.79V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 26W | |
| Transistor Configuration | Dual N | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 3.3mm | |
| Height | 0.75mm | |
| Width | 3.3 mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 38A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series NTTF | ||
Package Type WQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 12 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13.5nC | ||
Forward Voltage Vf 0.79V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 26W | ||
Transistor Configuration Dual N | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 3.3mm | ||
Height 0.75mm | ||
Width 3.3 mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Dual N NTTF 1 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 12-Pin WQFN NTTFD9D0N06HLTWG
- onsemi N-Channel NTTF 1 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 12-Pin WQFN
- onsemi N-Channel NTTF 1 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 12-Pin WQFN NTTFD4D0N04HLTWG
- DiodesZetex Dual DMHT10H032LFJ 1 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 12-Pin VDFN
- DiodesZetex Dual DMHT10H032LFJ 1 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 12-Pin VDFN DMHT10H032LFJ-13
- onsemi NIS6420MT1TWG 12 V 12-Pin, WQFN
- onsemi NIS6420MT2TWG 12 V 12-Pin, WQFN
- onsemi Dual N/P-Channel MOSFET 700 mA 6-Pin SOT-363 FDG6332C
