onsemi N-Channel NTTF 1 Type N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 12-Pin WQFN NTTFD4D0N04HLTWG
- RS Stock No.:
- 202-5718
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTTFD4D0N04HLTWG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB1,257.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,345.85
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 8,975 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 725 | THB50.312 | THB1,257.80 |
| 750 - 1475 | THB49.054 | THB1,226.35 |
| 1500 + | THB48.299 | THB1,207.48 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 202-5718
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTTFD4D0N04HLTWG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | WQFN | |
| Series | NTTF | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 12 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.78V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 26W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 18nC | |
| Transistor Configuration | N-Channel | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 3.3 mm | |
| Length | 3.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Height | 0.75mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type WQFN | ||
Series NTTF | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 12 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.78V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 26W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC | ||
Transistor Configuration N-Channel | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 3.3 mm | ||
Length 3.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Height 0.75mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi N-Channel NTTF 1 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 12-Pin WQFN
- onsemi Dual N NTTF 1 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 12-Pin WQFN
- onsemi Dual N NTTF 1 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 12-Pin WQFN NTTFD9D0N06HLTWG
- DiodesZetex Dual DMHT10H032LFJ 1 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 12-Pin VDFN DMHT10H032LFJ-13
- DiodesZetex Dual DMHT10H032LFJ 1 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 12-Pin VDFN
- Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH36N04NM6ATMA1
- Infineon IQF Type N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH55N04NM6ATMA1
- Vishay SIZF4800LDT 2 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 12-Pin 3 x 3FS SIZF4800LDT-T1-GE3
