ROHM Dual BST N-Channel Power Module, 394 A, 3.9 V Enhancement, 12-Pin Power DIP Module BST400D12P4A101
- RS Stock No.:
- 792-188
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BST400D12P4A101
- ผู้ผลิต:
- ROHM
N
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB28,616.32
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB30,619.46
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 2 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 21 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 + | THB28,616.32 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 792-188
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BST400D12P4A101
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | Power Module | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 394A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 3.9V | |
| Package Type | Power DIP Module | |
| Series | BST | |
| Mount Type | Heatsink | |
| Pin Count | 12 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1667W | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 334nC | |
| Forward Voltage Vf | 3.9V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 21V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Width | 41.6mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 52.5mm | |
| Height | 6.9mm | |
| Automotive Standard | AQG 324 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type Power Module | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 394A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 3.9V | ||
Package Type Power DIP Module | ||
Series BST | ||
Mount Type Heatsink | ||
Pin Count 12 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1667W | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 334nC | ||
Forward Voltage Vf 3.9V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 21V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Width 41.6mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 52.5mm | ||
Height 6.9mm | ||
Automotive Standard AQG 324 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
The ROHM Automotive Grade SiC Power Module delivers reliable high efficiency performance for demanding electric vehicle and industrial applications.
Compact design for space saving installation
High power density for improved efficiency
Press fit contact technology ensures secure connections
Integrated NTC temperature sensor enables monitoring
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM N-Channel BST N-Channel Power Module 1200 V Enhancement, 20-Pin Corrugated Cardboard BST47T1P4K01-VC
- ROHM N-Channel BST N-Channel Power Module 750 V Enhancement, 20-Pin Corrugated Cardboard BST91T1P4K01-VC
- ROHM Quad BST N-Channel Power Module 750 V Enhancement, 20-Pin Corrugated Cardboard BST91B1P4K01-VC
- ROHM Quad BST N-Channel Power Module 1200 V Enhancement, 20-Pin Corrugated Cardboard BST70B2P4K01-VC
- ROHM Dual SCZ N-Channel Power Module 1200 V Enhancement, 7-Pin Tube SCZ4011KTAC23
- Mitsubishi Electric 20 A 600 V Through Hole
- Infineon OptiMOS N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH86N06NM5ATMA1
- Mitsubishi Electric 10 A 600 V Through Hole
