Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET, 656 A, 40 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH36N04NM6ATMA1
- RS Stock No.:
- 348-840
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IQFH36N04NM6ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB329.05
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB352.08
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สินค้าใหม่ - พรีออเดอร์วันนี้
- ส่งจากวันที่ 09 พฤศจิกายน 2569
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB329.05 |
| 10 - 99 | THB296.39 |
| 100 - 499 | THB273.13 |
| 500 - 999 | THB253.34 |
| 1000 + | THB227.12 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 348-840
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IQFH36N04NM6ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 656A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | OptiMOS-TM6 | |
| Package Type | PG-TSON-12 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 12 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.36mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 656A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series OptiMOS-TM6 | ||
Package Type PG-TSON-12 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 12 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.36mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- AT
The Infineon 40 V normal level power MOSFET comes in our latest innovative, compact clip based PQFN 8x6 mm2 package enabling very high currents and power levels. The part offers current industry-best RDS(on) of 0.36 mΩ combined with outstanding thermal performance.
Minimized conduction losses
Fast switching
Reduced voltage overshoot
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH99N06NM5ATMA1
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH86N06NM5ATMA1
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH68N06NM5ATMA1
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH61N06NM5ATMA1
- Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB339N20NM6ATMA1
- Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB068N20NM6ATMA1
- Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 10-Pin PG-LHDSO-10-2 IAUCN04S6N009TATMA1
- Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 10-Pin PG-LHDSO-10-1 IAUCN04S6N017TATMA1
