Infineon IQF Type N-Channel Power Transistor, 451 A, 40 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH55N04NM6ATMA1
- RS Stock No.:
- 349-390
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IQFH55N04NM6ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB410.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB438.92
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | THB205.10 | THB410.20 |
| 20 - 198 | THB184.565 | THB369.13 |
| 200 - 998 | THB170.215 | THB340.43 |
| 1000 - 1998 | THB158.09 | THB316.18 |
| 2000 + | THB141.515 | THB283.03 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 349-390
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IQFH55N04NM6ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power Transistor | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 451A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | PG-TSON-12 | |
| Series | IQF | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 12 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.55mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 118nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 214W | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power Transistor | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 451A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type PG-TSON-12 | ||
Series IQF | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 12 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.55mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 118nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 214W | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 40 V is specifically optimized for low voltage drive applications and battery powered systems, making it ideal for energy efficient designs. It is also optimized for synchronous applications, ensuring enhanced performance. The MOSFET features very low on-resistance (RDS(on)), minimizing conduction losses for improved efficiency. Additionally, it is 100% avalanche tested, ensuring reliable performance under demanding conditions.
Superior thermal resistance
N channel
Pb free lead plating and RoHS compliant
Halogen free according to IEC61249-2-21
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH36N04NM6ATMA1
- Infineon ISC Type N-Channel Power Transistor 135 V Enhancement, 8-Pin PG-TSON-8 ISC037N13NM6ATMA1
- Infineon OptiMOS 6 Power Transistor 1 Type N-Channel MOSFET 8-Pin PG-TSON-8 ISC030N12NM6ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel Power Transistor 135 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOG-8 IPTG029N13NM6ATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel Power Transistor 200 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ520N20NM6ATMA1
- Infineon IPF Type N-Channel Power Transistor 120 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IPF019N12NM6ATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel Power Transistor 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ033N03LF2SATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel Power Transistor 120 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOG-8 IPTG017N12NM6ATMA1