Infineon IQF Type N-Channel Power Transistor, 451 A, 40 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH55N04NM6ATMA1

RS Stock No.:: 349-390
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQFH55N04NM6ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IQF Type N-Channel Power Transistor, 451 A, 40 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH55N04NM6ATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB410.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB438.92

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 18	THB205.10	THB410.20
20 - 198	THB184.565	THB369.13
200 - 998	THB170.215	THB340.43
1000 - 1998	THB158.09	THB316.18
2000 +	THB141.515	THB283.03

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 349-390
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQFH55N04NM6ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	Power Transistor
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	451A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	IQF
	Package Type	PG-TSON-12
	Mount Type	Surface
	Pin Count	12
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.55mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	118nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	214W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type Power Transistor
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 451A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series IQF
	Package Type PG-TSON-12
	Mount Type Surface
	Pin Count 12
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.55mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 118nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 214W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IQFH55N04NM6ATMA1

COO (Country of Origin):: MY

The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 40 V is specifically optimized for low voltage drive applications and battery powered systems, making it ideal for energy efficient designs. It is also optimized for synchronous applications, ensuring enhanced performance. The MOSFET features very low on-resistance (RDS(on)), minimizing conduction losses for improved efficiency. Additionally, it is 100% avalanche tested, ensuring reliable performance under demanding conditions.

Superior thermal resistance

N channel

Pb free lead plating and RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

Infineon IQF Type N-Channel Power Transistor, 451 A, 40 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH55N04NM6ATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง