onsemi NTB Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ขาดตลาด
เนื่องจากการขาดแคลนสินค้าทั่วโลก เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
202-5689
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NTBG040N120SC1
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

NTB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

40mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

106nC

Maximum Power Dissipation Pd

357W

Forward Voltage Vf

3.7V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4.7 mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

10.2mm

Height

15.7mm

Automotive Standard

No

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK−7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L


The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 60 Ampere and 1200 Volts. It can be used in uninterruptible power supply, DC or DC converter, Boost inverter.

40mO drain to source on resistance

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

Pb free

RoHS compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง