onsemi NVB Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
202-5730
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NVBG040N120SC1
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

NVB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

56mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

106nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Power Dissipation Pd

178W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.2mm

Standards/Approvals

AEC-Q101

Width

4.7 mm

Height

15.7mm

Automotive Standard

No

Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK−7L Silicon Carbide MOSFET, N-Channel, 1200 V, 40 mΩ, D2PAK-7L


The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 60 Ampere and 1200 Volts. It can be used in Automotive on board charger, DC or DC Converter applications.

AEC Q101 qualified

Production part approval process Capable

100% avalanche tested

Low effective output capacitance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง