onsemi NVB Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 202-5730
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVBG040N120SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB526,276.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB563,116.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | THB657.846 | THB526,276.80 |
| 1600 - 2400 | THB643.545 | THB514,836.00 |
| 3200 + | THB629.244 | THB503,395.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 202-5730
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVBG040N120SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | NVB | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 56mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 178W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 106nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Height | 15.7mm | |
| Length | 10.2mm | |
| Width | 4.7 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series NVB | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 56mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 178W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 106nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Height 15.7mm | ||
Length 10.2mm | ||
Width 4.7 mm | ||
Automotive Standard No | ||
Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK−7L Silicon Carbide MOSFET, N-Channel, 1200 V, 40 mΩ, D2PAK-7L
The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 60 Ampere and 1200 Volts. It can be used in Automotive on board charger, DC or DC Converter applications.
AEC Q101 qualified
Production part approval process Capable
100% avalanche tested
Low effective output capacitance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NVB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NVBG040N120SC1
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG040N120SC1
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET & Diode 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG022N120M3S
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG060N065SC1