onsemi NTB N-Channel MOSFET, 58 A, 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG060N065SC1
- RS Stock No.:
- 254-7664
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBG060N065SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (800 ชิ้น, ในม้วนขนาด 800)*
THB185,977.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB198,996.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | THB232.472 | THB185,977.60 |
| 1600 - 1600 | THB227.822 | THB182,257.60 |
| 2400 + | THB223.266 | THB178,612.80 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 254-7664
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBG060N065SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 58A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | NTB | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 22mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 117W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 74nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 4.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 58A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Package Type TO-263 | ||
Series NTB | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 117W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 74nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 4.5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L
The ON Semiconductor NTB series of a silicon carbide mosfet uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition with the low on resistance and compact chip size. It ensures a low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.
Higher system reliability
Ultra low gate charge
High speed switching and low capacitance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTB N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG060N065SC1
- onsemi NTB N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG022N120M3S
- onsemi NTB N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin HPSOF-8L
- onsemi NTB N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin HPSOF-8L NTBL045N065SC1
- onsemi NTB N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB N-Channel MOSFET & Diode 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263