onsemi NTB N-Channel MOSFET, 60 A, 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG040N120SC1
- RS Stock No.:
- 202-5690
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBG040N120SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB4,000.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB4,280.55
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ขาดตลาด
- เพิ่มอีก 325 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 05 ตุลาคม 2569
สต็อกปัจจุบันของเรามีจำนวนจำกัด และซัพพลายเออร์ของเราคาดว่าสินค้าจะขาดแคลน
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 195 | THB800.10 | THB4,000.50 |
| 200 - 395 | THB780.10 | THB3,900.50 |
| 400 + | THB768.096 | THB3,840.48 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 202-5690
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBG040N120SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | NTB | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 40mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 357W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 106nC | |
| Forward Voltage Vf | 3.7V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 10.2mm | |
| Width | 4.7mm | |
| Height | 15.7mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Package Type TO-263 | ||
Series NTB | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 40mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 357W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 106nC | ||
Forward Voltage Vf 3.7V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 10.2mm | ||
Width 4.7mm | ||
Height 15.7mm | ||
Automotive Standard No | ||
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK−7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L
The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 60 Ampere and 1200 Volts. It can be used in uninterruptible power supply, DC or DC converter, Boost inverter.
40mO drain to source on resistance
Ultra low gate charge
100% avalanche tested
Pb free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTB N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB N-Channel MOSFET & Diode 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB N-Channel MOSFET & Diode 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG160N120SC1
- onsemi NTB N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG022N120M3S
- onsemi NTB N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG080N120SC1
- onsemi NTB N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG060N065SC1