onsemi NTB Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG040N120SC1
- RS Stock No.:
- 202-5690
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBG040N120SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB4,000.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB4,280.55
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ขาดตลาด
- 725 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
สต็อกปัจจุบันของเรามีจำนวนจำกัด และซัพพลายเออร์ของเราคาดว่าสินค้าจะขาดแคลน
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 195 | THB800.10 | THB4,000.50 |
| 200 - 395 | THB780.10 | THB3,900.50 |
| 400 + | THB768.096 | THB3,840.48 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 202-5690
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBG040N120SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | NTB | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 40mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 106nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 357W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Forward Voltage Vf | 3.7V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 15.7mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 10.2mm | |
| Width | 4.7 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series NTB | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 40mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 106nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 357W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Forward Voltage Vf 3.7V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 15.7mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 10.2mm | ||
Width 4.7 mm | ||
Automotive Standard No | ||
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK−7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L
The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 60 Ampere and 1200 Volts. It can be used in uninterruptible power supply, DC or DC converter, Boost inverter.
40mO drain to source on resistance
Ultra low gate charge
100% avalanche tested
Pb free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET & Diode 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG022N120M3S
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG060N065SC1
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG025N065SC1
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG080N120SC1