onsemi NTB Type N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
205-2449
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NTBG080N120SC1
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

TO-263

Series

NTB

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

110mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Forward Voltage Vf

3.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

9.7 mm

Height

4.3mm

Standards/Approvals

This Device is Pb-Free and is RoHS

Length

15.1mm

Automotive Standard

No

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L


The ON Semiconductor silicon carbide (SiC) N-Channel MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Low on resistance 80mohm type

High Junction temperature

Ultra low gate charge

Low effective output capacitance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง