Vishay E Type N-Channel MOSFET, 16.3 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 228-2867
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHG21N80AEF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 25 ชิ้น)*
THB2,405.40
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,573.775
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | THB96.216 | THB2,405.40 |
| 100 - 475 | THB93.811 | THB2,345.28 |
| 500 + | THB91.466 | THB2,286.65 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 228-2867
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHG21N80AEF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 16.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 850V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | E | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 250mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 47nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 179W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 16.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 850V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series E | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 250mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 47nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 179W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG21N80AEF-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-220