Vishay Dual TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel MOSFET, 48 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S
- RS Stock No.:
- 200-6853
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiZ240DT-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB785.90
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB840.925
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 03 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 725 | THB31.436 | THB785.90 |
| 750 - 1475 | THB30.65 | THB766.25 |
| 1500 + | THB30.178 | THB754.45 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 200-6853
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiZ240DT-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 48A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | PowerPAIR 3 x 3S | |
| Series | TrenchFET Gen IV | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.00805Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15.2nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 33W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Height | 0.8mm | |
| Width | 3.4 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.4mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 48A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type PowerPAIR 3 x 3S | ||
Series TrenchFET Gen IV | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00805Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15.2nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 33W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Height 0.8mm | ||
Width 3.4 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.4mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Dual TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S SiZ240DT-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3FDC
- Vishay Dual TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3FDC SiZ250DT-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S SiZ340BDT-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S SiZ254DT-T1-GE3