Vishay Dual TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel MOSFET, 48 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S SiZ240DT-T1-GE3

RS Stock No.:: 200-6852
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiZ240DT-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Dual TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel MOSFET, 48 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S SiZ240DT-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB66,381.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB71,028.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB22.127	THB66,381.00
6000 - 9000	THB21.463	THB64,389.00
12000 +	THB20.819	THB62,457.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 200-6852
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiZ240DT-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	48A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	PowerPAIR 3 x 3S
	Series	TrenchFET Gen IV
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.00805Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	15.2nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	33W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Dual
	Standards/Approvals	No
	Length	3.4mm
	Width	3.4 mm
	Height	0.8mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 48A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type PowerPAIR 3 x 3S
	Series TrenchFET Gen IV
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00805Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15.2nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 33W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Dual
	Standards/Approvals No
	Length 3.4mm
	Width 3.4 mm
	Height 0.8mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Document- SiZ240DT-T1-GE3

The Vishay SiZ240DT-T1-GE3 is a dual N-channel 40V (D-S) MOSFETs.

TrenchFET Gen IV power MOSFETs

Integrated MOSFET half-bridge power stage

100 % Rg and UIS tested

Optimized Qgs/Qgs ratio improves switching characteristics

Vishay Dual TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel MOSFET, 48 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S SiZ240DT-T1-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง