Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 N-Channel Power MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 SiZ348DT-T1-GE3

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
178-3932
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiZ348DT-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay Siliconix

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAIR 3 x 3

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

10mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

16.7W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12.1nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-16V, +20V

Maximum Operating Temperature

+150°C

Transistor Configuration

Dual

Length

3mm

Width

3mm

Standards/Approvals

No

Height

0.75mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น

COO (Country of Origin):
TW
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

High side and low side MOSFETs form optimized combination for 50 % duty cycle

Optimized RDS - Qg and RDS - Qgd FOM elevates efficiency for high frequency switching

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง