Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3

RS Stock No.:: 178-3932
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiZ348DT-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB321.10

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB343.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

3,860 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 740	THB32.11	THB321.10
750 - 1490	THB31.308	THB313.08
1500 +	THB30.826	THB308.26

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-3932
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiZ348DT-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay Siliconix
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	TrenchFET
	Package Type	PowerPAIR 3 x 3
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	10mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	12.1nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	16.7W
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Length	3mm
	Height	0.75mm
	Width	3 mm
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay Siliconix
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series TrenchFET
	Package Type PowerPAIR 3 x 3
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 10mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12.1nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 16.7W
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Length 3mm
	Height 0.75mm
	Width 3 mm
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet

สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น

COO (Country of Origin):: TW

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

High side and low side MOSFETs form optimized combination for 50 % duty cycle

Optimized RDS - Qg and RDS - Qgd FOM elevates efficiency for high frequency switching

Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง