STMicroelectronics STB Type N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 192-4649
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STB18N60M6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB59,548.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB63,716.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB59.548 | THB59,548.00 |
| 2000 - 3000 | THB57.762 | THB57,762.00 |
| 4000 + | THB56.029 | THB56,029.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 192-4649
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STB18N60M6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | STB | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 280mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16.8nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 9.35 mm | |
| Length | 10.4mm | |
| Height | 4.37mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series STB | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 280mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.8nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 9.35 mm | ||
Length 10.4mm | ||
Height 4.37mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The new MDmesh M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.
Reduced switching losses
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate input resistance
Zener-protected
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STB Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB18N60M6
- STMicroelectronics STB Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 2-Pin TO-263 STB45N60DM6
- Infineon 600V CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon 600V CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R180C7ATMA1
- STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB18N60M2
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263