STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET, 13 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB18N60M2
- RS Stock No.:
- 792-5707
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STB18N60M2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB439.95
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB470.75
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,745 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 245 | THB87.99 | THB439.95 |
| 250 - 495 | THB85.788 | THB428.94 |
| 500 + | THB84.466 | THB422.33 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 792-5707
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STB18N60M2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | MDmesh M2 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 280mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 21.5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 4.6mm | |
| Length | 10.4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 9.35 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series MDmesh M2 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 280mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21.5nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 4.6mm | ||
Length 10.4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 9.35 mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP STF18N60M2
- STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP18N60M2
- STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB13N60M2
- STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247