STMicroelectronics STB Type N-Channel MOSFET, 30 A, 600 V Enhancement, 2-Pin TO-263 STB45N60DM6

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB302.33

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB323.49

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 990 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 14 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB302.33
10 - 99THB272.14
100 - 499THB250.87
500 +THB232.56

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
214-851
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STB45N60DM6
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-263

Series

STB

Mount Type

Surface

Pin Count

2

Maximum Drain Source Resistance Rds

99mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

44nC

Maximum Power Dissipation Pd

210W

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

15.85mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

10.4 mm

Height

4.6mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics High-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener protected

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง