STMicroelectronics STB Type N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB18N60M6

RS Stock No.:: 192-4936
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STB18N60M6
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STB Type N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB18N60M6

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB443.08

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB474.095

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 245	THB88.616	THB443.08
250 - 495	THB86.402	THB432.01
500 +	THB85.068	THB425.34

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 192-4936
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STB18N60M6
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-263
	Series	STB
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	280mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.6V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	16.8nC
	Maximum Power Dissipation Pd	110W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	10.4mm
	Height	4.37mm
	Width	9.35 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-263
	Series STB
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 280mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.6V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.8nC
	Maximum Power Dissipation Pd 110W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 10.4mm
	Height 4.37mm
	Width 9.35 mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

The new MDmesh M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.

Reduced switching losses

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate input resistance

Zener-protected

STMicroelectronics STB Type N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB18N60M6

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง