Infineon 600V CoolMOS C7 N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R180C7ATMA1

RS Stock No.:: 215-2497
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB60R180C7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon 600V CoolMOS C7 N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R180C7ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 2000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB3,022.00

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB50,357.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB53,882.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*	การประหยัด
1000 - 1000	THB50.357	THB50,357.00	-
2000 - 3000	THB48.846	THB48,846.00	THB3,022.00
4000 +	THB47.381	THB47,381.00	THB11,904.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 215-2497
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB60R180C7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	600V CoolMOS C7
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	180mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	24nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	68W
	Forward Voltage Vf	900mV
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	4.57mm
	Height	15.88mm
	Length	10.31mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series 600V CoolMOS C7
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 180mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 68W
	Forward Voltage Vf 900mV
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 4.57mm
	Height 15.88mm
	Length 10.31mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPB60R180C7ATMA1

The Infineon 600V Cool MOS™ C7 super junction (SJ) MOSFET series offers a ∼50% reduction in turn-off losses (E oss ) compared to the Cool MOS™ CP, offering an outstanding level of performance in PFC, TTF and other hard-switching topologies. The IPL60R185C7 is also a perfect match for high-power-density charger designs. Efficiency and TCO (total cost of ownership) applications such as hyper data centres and high efficiency telecom rectifiers (>96%) benefit from the higher efficiency offered by Cool MOS™ C7. Gains of 0.3% to 0.7% in PFC and 0.1% in LLC topologies can be achieved. In the case of a 2.5kW server PSU, for example, using 600V Cool MOS™ C7 SJ MOSFETs in a TO-247 4pin package can result in energy cost reductions of ∼10% for PSU energy loss.

Reduced switching loss parameters such as Q G, C oss, E oss

Best-in-class figure of merit Q G*R DS(on)

Increased switching frequency

Best R (on)*A in the world

Rugged body diode

Infineon 600V CoolMOS C7 N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R180C7ATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง