Vishay Common Drain TrenchFET 3 Type P, Type N-Channel MOSFET, 30 A, 200 V Enhancement, 10-Pin Triple Die

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB645.85

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB691.05

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 495THB129.17THB645.85
500 - 995THB125.942THB629.71
1000 +THB124.006THB620.03

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
188-5065
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQUN702E-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P, Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

TrenchFET

Package Type

Triple Die

Mount Type

Surface

Pin Count

10

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.79V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

60W

Maximum Operating Temperature

+175°C

Transistor Configuration

Common Drain

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

3

Automotive Standard

AEC-Q101

Vishay TrenchFET Series MOSFET, 200V Drain Source Voltage, 30A Continuous Drain Current - SQUN702E-T1_GE3


This MOSFET is a surface-mount transistor device designed for power switching in demanding environments. It employs a triple-die topology in a common-drain configuration to handle elevated voltages and currents while supporting both P-channel and N-channel enhancement modes for flexible circuit integration.

Features and Benefits:


• 200V drain rating enables high-voltage switching capability
• 30A continuous drain current supports heavy load handling
• 60W dissipation permits sustained power delivery
• 20V gate tolerance allows robust gate-drive margin
• 23 nC typical gate charge yields predictable switching energy
• +175 °C maximum operation suits high-temperature use cases

Applications


• Suitable for automotive power distribution modules
• Used for high-voltage DC-DC conversion stages
• Ideal for motor driver half-bridge assemblies
• Can be used for compact surface-mount power supplies
• Used with synchronous rectification circuits for efficiency

What pin configuration does it use for PCB layout?


The device uses a 10-pin package in a common-drain arrangement, allowing specific routing of source and gate connections while keeping the drain common across the triple-die structure.

How does the intrinsic diode perform during conduction?


The body diode exhibits a forward voltage of 0.79V, affecting conduction losses and thermal loading during reverse-recovery events.

Are both channel polarities available on the same component?


The device contains both P-channel and N-channel elements implemented as enhancement-mode transistors to accommodate complementary switching topologies.

What environmental temperature range can it tolerate during operation?


It is specified for operation from -55 °C up to +175 °C, permitting use across a wide thermal span in harsh conditions.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง