Vishay Common Drain TrenchFET 3 Type P, Type N-Channel MOSFET, 30 A, 200 V Enhancement, 10-Pin Triple Die
- RS Stock No.:
- 188-5065
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQUN702E-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB722.95
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB773.55
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 40 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 495 | THB144.59 | THB722.95 |
| 500 - 995 | THB140.976 | THB704.88 |
| 1000 + | THB138.808 | THB694.04 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-5065
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQUN702E-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P, Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | Triple Die | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 10 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.79V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 60W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Transistor Configuration | Common Drain | |
| Maximum Operating Temperature | +175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 3 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P, Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type Triple Die | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 10 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.79V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 60W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Transistor Configuration Common Drain | ||
Maximum Operating Temperature +175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 3 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Vishay TrenchFET Series MOSFET, 200V Maximum Drain Source Voltage, 30A Maximum Continuous Drain Current - SQUN702E-T1_GE3
This MOSFET is a surface-mount power transistor family designed for high-voltage switching in automotive and industrial control systems. It combines both P- and N-channel elements in a common-drain triple-die configuration to support complex power-management topologies while operating across a wide temperature range suitable for demanding environments.
Features and Benefits:
• 200V drain rating enabling high-voltage switching applications • 30A continuous drain current supporting substantial load currents • 60W power dissipation for sustained high-power operation • 175°C maximum operating temperature allowing elevated thermal margins • 20V gate tolerance accommodating standard gate-drive voltages • 23nC typical gate charge permitting predictable switching performance
Applications
• Suitable for automotive power distribution and motor-drive circuits • Ideal for high-voltage DC-DC conversion stages in vehicles • Used for switch-mode power supplies in industrial automation • Can be used for load-switching and protection in electrical systems • Used with multi-element topologies requiring combined P and N channels
What thermal environment can it withstand for extended operation?
It is rated to function up to 175°C, with a lower ambient limit of -55°C for cold-start scenarios.
How does the device accommodate mixed-channel circuit designs?
The triple-die, common-drain configuration integrates P- and N-channel elements in a single package to simplify layout in complementary switching arrangements.
What mounting considerations apply for PCB assembly?
It is supplied as a surface-mount component in a 10-pin package, enabling automated assembly and Compact board placement.
What electrical limits should designers respect for gate and drain terminals?
The maximum gate-source voltage is 20V and the maximum drain-source voltage is 200V to prevent device overstress.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Common Drain TrenchFET 3 Type P 30 A 10-Pin Triple Die
- Vishay Common Drain TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay Common Drain TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel Power MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 10-Pin PowerPack SQJ590EP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 10-Pin PowerPack SQJ140ER-T1_GE3
- Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SC-70
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -150 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2325CES-T1_GE3
