Vishay Common Drain TrenchFET 3 Type P, Type N-Channel MOSFET, 30 A, 200 V Enhancement, 10-Pin Triple Die

RS Stock No.:: 188-5065
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQUN702E-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Common Drain TrenchFET 3 Type P, Type N-Channel MOSFET, 30 A, 200 V Enhancement, 10-Pin Triple Die

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB771.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB824.95

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 40 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 495	THB154.20	THB771.00
500 - 995	THB150.346	THB751.73
1000 +	THB148.034	THB740.17

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 188-5065
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQUN702E-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type P, Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Package Type	Triple Die
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	10
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	23nC
	Maximum Power Dissipation Pd	60W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	0.79V
	Maximum Operating Temperature	+175°C
	Transistor Configuration	Common Drain
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	3
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type P, Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Package Type Triple Die
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 10
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC
	Maximum Power Dissipation Pd 60W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 0.79V
	Maximum Operating Temperature +175°C
	Transistor Configuration Common Drain
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 3
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet SQUN702E-T1_GE3

Vishay TrenchFET Series MOSFET, 200V Drain Source Voltage, 30A Continuous Drain Current - SQUN702E-T1_GE3

This MOSFET is a surface-mount transistor device designed for power switching in demanding environments. It employs a triple-die topology in a common-drain configuration to handle elevated voltages and currents while supporting both P-channel and N-channel enhancement modes for flexible circuit integration.

Features and Benefits:

• 200V drain rating enables high-voltage switching capability
• 30A continuous drain current supports heavy load handling
• 60W dissipation permits sustained power delivery
• 20V gate tolerance allows robust gate-drive margin
• 23 nC typical gate charge yields predictable switching energy
• +175 °C maximum operation suits high-temperature use cases

Applications

• Suitable for automotive power distribution modules
• Used for high-voltage DC-DC conversion stages
• Ideal for motor driver half-bridge assemblies
• Can be used for compact surface-mount power supplies
• Used with synchronous rectification circuits for efficiency

What pin configuration does it use for PCB layout?

The device uses a 10-pin package in a common-drain arrangement, allowing specific routing of source and gate connections while keeping the drain common across the triple-die structure.

How does the intrinsic diode perform during conduction?

The body diode exhibits a forward voltage of 0.79V, affecting conduction losses and thermal loading during reverse-recovery events.

Are both channel polarities available on the same component?

The device contains both P-channel and N-channel elements implemented as enhancement-mode transistors to accommodate complementary switching topologies.

What environmental temperature range can it tolerate during operation?

It is specified for operation from -55 °C up to +175 °C, permitting use across a wide thermal span in harsh conditions.