Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 170 A, 40 V Enhancement, 10-Pin PowerPack SQJ140ER-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 735-248
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ140ER-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB57.43
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB61.45
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB57.43 |
| 10 - 24 | THB37.13 |
| 25 - 99 | THB19.31 |
| 100 + | THB18.81 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 735-248
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ140ER-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 170A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | PowerPack | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 10 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0315Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 136W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 49nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Width | 5.3 mm | |
| Length | 7.5mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 170A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type PowerPack | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 10 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0315Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 136W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 49nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Width 5.3 mm | ||
Length 7.5mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay Automotive N channel 40 V 175 °C MOSFET delivers reliable switching performance for demanding automotive applications. designed to meet strict industry standards, it ensures durability under high temperature conditions while maintaining efficiency. its compliance with automotive qualification and environmental regulations makes it a trusted choice for modern vehicle electronics.
Includes AEC Q101 qualification for automotive reliability
Offers 100% Rg and UIS testing for robustness
Supports operation up to 175 °C junction temperature
Provides 40 V drain to source voltage capability
Ensures RoHS compliance for environmental safety
Delivers halogen free construction for eco-friendly design
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 10-Pin PowerPack SQJ186ELR-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 10-Pin PowerPack SQJ134ELR-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 10-Pin PowerPack SQJ182ER-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 10-Pin PowerPack SQJ590EP-T1_GE3
- Vishay Common Drain TrenchFET 3 Type P 30 A 10-Pin Triple Die
- Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 10-Pin PG-LHDSO-10-1 IAUCN04S6N017TATMA1
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR SQZF140ELPW-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ742ELP-T1_GE3