Dual N-Channel MOSFET, 52 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8SCD Vishay SiSF20DN-T1-GE3

RS Stock No.:: 188-5025
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiSF20DN-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Dual N-Channel MOSFET, 52 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8SCD Vishay SiSF20DN-T1-GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 5)

THB53.562

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB57.311

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 16/04/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
5 - 745	THB53.562	THB267.81
750 - 1495	THB52.224	THB261.12
1500 +	THB51.42	THB257.10

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 188-5025
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiSF20DN-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Datasheet SiSF20DN-T1-GE3

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	52 A
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Package Type	PowerPAK 1212-8SCD
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	18 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	3V
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Maximum Power Dissipation	69.4 W
Transistor Configuration	Common Drain
Maximum Gate Source Voltage	±20 V
Number of Elements per Chip	2
Width	3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs	22 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	3.4mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	0.75mm

Dual N-Channel MOSFET, 52 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8SCD Vishay SiSF20DN-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง