Vishay Common Drain TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel Power MOSFET, 52 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

RS Stock No.:: 188-5025
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiSF20DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Common Drain TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel Power MOSFET, 52 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB287.70

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB307.85

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 03 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 745	THB57.54	THB287.70
750 - 1495	THB56.102	THB280.51
1500 +	THB55.238	THB276.19

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 188-5025
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiSF20DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	52A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	PowerPAK 1212
	Series	TrenchFET Gen IV
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	18mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	22nC
	Maximum Power Dissipation Pd	69.4W
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Transistor Configuration	Common Drain
	Length	3.4mm
	Standards/Approvals	No
	Height	0.75mm
	Width	3.4 mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 52A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type PowerPAK 1212
	Series TrenchFET Gen IV
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 18mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC
	Maximum Power Dissipation Pd 69.4W
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Transistor Configuration Common Drain
	Length 3.4mm
	Standards/Approvals No
	Height 0.75mm
	Width 3.4 mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet SiSF20DN-T1-GE3

Common - Drain Dual N-Channel 60 V (S1-S2) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low source-to-source on resistance

Integrated common-drain n-channel MOSFETs in a compact and thermally enhanced package

Vishay Common Drain TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel Power MOSFET, 52 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง