Vishay Common Drain TrenchFET 3 Type P, Type N-Channel MOSFET, 30 A, 200 V Enhancement, 10-Pin Triple Die
- RS Stock No.:
- 188-4925
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQUN702E-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB142,500.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB152,480.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | THB71.25 | THB142,500.00 |
| 4000 - 6000 | THB69.113 | THB138,226.00 |
| 8000 + | THB67.039 | THB134,078.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-4925
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQUN702E-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P, Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | Triple Die | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 10 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.79V | |
| Minimum Operating Temperature | 175°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 60W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Transistor Configuration | Common Drain | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 3 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P, Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type Triple Die | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 10 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.79V | ||
Minimum Operating Temperature 175°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 60W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Transistor Configuration Common Drain | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 3 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Automotive 40 V N- and P-Channel Common Drain MOSFET Pair and 200 V N-Channel MOSFET.
Optimized triple die package
TrenchFET® power MOSFET
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Common Drain TrenchFET 3 Type P 30 A 10-Pin Triple Die
- Vishay Common Drain TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay Common Drain TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel Power MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SC-70
- Vishay TrenchFET Type P-Channel TrenchFET Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SO-8
