Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 257 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5F SiZF906BDT-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB268.18

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB286.955

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 5,315 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 45THB53.636THB268.18
50 - 95THB52.294THB261.47
100 - 245THB50.986THB254.93
250 - 995THB49.712THB248.56
1000 +THB48.47THB242.35

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
228-2941
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiZF906BDT-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

257A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAIR 6 x 5F

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0021Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Standards/Approvals

RoHS

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง