Vishay Dual SI7216DN Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPack SI7216DN-T1-E3
- RS Stock No.:
- 180-7922
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI7216DN-T1-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB387.69
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB414.83
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 2,915 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 745 | THB77.538 | THB387.69 |
| 750 - 1495 | THB75.602 | THB378.01 |
| 1500 + | THB74.438 | THB372.19 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 180-7922
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI7216DN-T1-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | PowerPack | |
| Series | SI7216DN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 25mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20.8W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12.5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -50°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 3.4 mm | |
| Length | 3.4mm | |
| Height | 1.12mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type PowerPack | ||
Series SI7216DN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 25mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20.8W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12.5nC | ||
Minimum Operating Temperature -50°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 3.4 mm | ||
Length 3.4mm | ||
Height 1.12mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay SI7216DN is a dual N-channel MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 40V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having power PAK 1212-8 package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.032ohms at 10VGS and 0.039ohms at 4.5VGS. Maximum drain current 6A.
Trench FET power MOSFET
Low thermal resistance Power PAK package with small size and low 1.07 mm profile
100 % Rg and UIS tested
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Dual SI7216DN Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPack
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4946BEY-T1-E3
- Vishay Dual SI7997DP Type N-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 8-Pin PowerPack
- Vishay Dual SI7956DP Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPack
- Vishay Dual SI7997DP Type N-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 8-Pin PowerPack SI7997DP-T1-GE3
- Vishay Dual SI7956DP Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPack SI7956DP-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type P 5.3 A 8-Pin SO-8
