Vishay Dual SI7216DN Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPack SI7216DN-T1-E3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB387.69

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB414.83

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,915 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 745THB77.538THB387.69
750 - 1495THB75.602THB378.01
1500 +THB74.438THB372.19

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
180-7922
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI7216DN-T1-E3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

SI7216DN

Package Type

PowerPack

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

25mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

20.8W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-50°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Length

3.4mm

Height

1.12mm

Width

3.4 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay SI7216DN is a dual N-channel MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 40V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having power PAK 1212-8 package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.032ohms at 10VGS and 0.039ohms at 4.5VGS. Maximum drain current 6A.

Trench FET power MOSFET

Low thermal resistance Power PAK package with small size and low 1.07 mm profile

100 % Rg and UIS tested

Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง