Vishay Single 1 Type N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR882ADP-T1-GE3

RS Stock No.:: 180-7871
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIR882ADP-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Single 1 Type N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR882ADP-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB494.78

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB529.415

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

8,800 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 745	THB98.956	THB494.78
750 - 1495	THB96.484	THB482.42
1500 +	THB94.996	THB474.98

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-7871
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIR882ADP-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	PowerPAK SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0087Ω
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	19.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd	83W
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Single
	Height	1.12mm
	Length	6.25mm
	Width	5.26 mm
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	1
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type PowerPAK SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0087Ω
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd 83W
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Single
	Height 1.12mm
	Length 6.25mm
	Width 5.26 mm
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 1
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount N-channel PowerPAK-SO-8 MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 100V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 8.7mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 83W and continuous drain current of 60A. It has a minimum and a maximum driving voltage of 4.5V and 10V respectively. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free component

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET for fast switching

Applications

• DC/DC primary side switch

• Industrial sites

• Telecom/server 48V, full/half-bridge DC/DC

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested