Vishay Single 1 Type P-Channel MOSFET, 29.7 A, 20 V, 6-Pin PowerPAK SC-70-6L SIA437DJ-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 180-7780
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIA437DJ-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB368.04
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB393.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 2,780 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 - 740 | THB18.402 | THB368.04 |
| 760 - 1480 | THB17.942 | THB358.84 |
| 1500 + | THB17.666 | THB353.32 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 180-7780
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIA437DJ-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 29.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | PowerPAK SC-70-6L | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.065Ω | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 19W | |
| Minimum Operating Temperature | 50°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 2.05 mm | |
| Length | 2.05mm | |
| Height | 0.8mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 29.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type PowerPAK SC-70-6L | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.065Ω | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 19W | ||
Minimum Operating Temperature 50°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 2.05 mm | ||
Length 2.05mm | ||
Height 0.8mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay SIA437DJ is a P-channel MOSFET having drain to source voltage(Vds) of -20V and gate to source voltage (VGS) 8V. It is having Power PAK SC-70 package. It is offers drain to source resistance (RDS.) of 0.0145ohms at 4.5VGS and 0.0205ohms at 2.5VGS. Maximum drain current 29.7A.
Trench FET power MOSFET
Thermally enhanced Power PAK SC-70 package
100 % Rg tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Single 1 Type P-Channel MOSFET 20 V, 6-Pin PowerPAK SC-70-6L
- Vishay Dual Plus Integrated Schottky 2 Type P-Channel MOSFET 30 V, 6-Pin PowerPAK SC-70-6L
- Vishay Dual Plus Integrated Schottky 2 Type P-Channel MOSFET 30 V, 6-Pin PowerPAK SC-70-6L SIA817EDJ-T1-GE3
- Vishay SIA Type P-Channel MOSFET 20 V PowerPAK SC-70 SIA4265EDJ-T1-GE3
- Vishay SIA Type P-Channel MOSFET 30 V PowerPAK SC-70 SIA4371EDJ-T1-GE3
- Vishay SiA4263DJ Type P-Channel MOSFET 30 V PowerPAK SC-70 SIA4263DJ-T1-GE3
- Vishay Single 1 Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay Single 1 Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR882ADP-T1-GE3
