N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay Siliconix SiSS12DN-T1-GE3

RS Stock No.:: 178-3701
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiSS12DN-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay Siliconix

N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay Siliconix SiSS12DN-T1-GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (On a Reel of 3000)

THB21.826

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB23.354

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

14990 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

Units	ต่อหน่วย	ต่อม้วน**
3000 - 3000	THB21.826	THB65,478.00
6000 - 9000	THB21.171	THB63,513.00
12000 +	THB20.536	THB61,608.00

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-3701
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiSS12DN-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay Siliconix

Datasheet

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	60 A
Maximum Drain Source Voltage	40 V
Series	TrenchFET
Package Type	PowerPAK 1212-8
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	2 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage	2.4V
Maximum Power Dissipation	65.7 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-16 V, +20 V
Length	3.15mm
Number of Elements per Chip	1
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	59 nC @ 10 V
Width	3.15mm
Forward Diode Voltage	1.1V
Height	1.07mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay Siliconix SiSS12DN-T1-GE3

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง