Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Stock No.:
- 178-3701
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiSS12DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay Siliconix
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB65,478.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB70,062.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 12,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB21.826 | THB65,478.00 |
| 6000 - 9000 | THB21.171 | THB63,513.00 |
| 12000 + | THB20.536 | THB61,608.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-3701
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiSS12DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay Siliconix
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay Siliconix | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | PowerPAK 1212 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 59nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 65.7W | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.07mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 3.15 mm | |
| Length | 3.15mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay Siliconix | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type PowerPAK 1212 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 59nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 65.7W | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.07mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 3.15 mm | ||
Length 3.15mm | ||
Automotive Standard No | ||
สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น
- COO (Country of Origin):
- CN
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS12DN-T1-GE3
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiS110DN-T1-GE3
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiDR392DP-T1-GE3
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-70-6L
- Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-70-6L SiA106DJ-T1-GE3