Vishay Single 1 Type N-Channel MOSFET, 42 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK SO-8L SQJ488EP-T1_GE3

RS Stock No.:: 180-8020
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQJ488EP-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Single 1 Type N-Channel MOSFET, 42 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK SO-8L SQJ488EP-T1_GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB401.38

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB429.48

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีสต็อกจำกัด

2,980 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 740	THB40.138	THB401.38
750 - 1490	THB39.133	THB391.33
1500 +	THB38.53	THB385.30

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-8020
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQJ488EP-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	42A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	PowerPAK SO-8L
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.021Ω
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	83W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	27nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Transistor Configuration	Single
	Height	1.14mm
	Standards/Approvals	AEC-Q101
	Length	5.25mm
	Width	6.25 mm
	Number of Elements per Chip	1
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 42A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type PowerPAK SO-8L
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.021Ω
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 83W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Transistor Configuration Single
	Height 1.14mm
	Standards/Approvals AEC-Q101
	Length 5.25mm
	Width 6.25 mm
	Number of Elements per Chip 1
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

The Vishay SQJ457EP is a automotive N-channel 175°C maximum junction temperature MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 100V. The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having Power PAK SO-8L package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.021ohms at 10VGS and 0.0258ohms at 4.5VGS. Maximum drain current 42A.

Trench FET power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

Vishay Single 1 Type N-Channel MOSFET, 42 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK SO-8L SQJ488EP-T1_GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง