Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS12DN-T1-GE3

RS Stock No.:: 178-3920
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiSS12DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS12DN-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB396.69

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB424.46

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 740	THB39.669	THB396.69
750 - 1490	THB38.678	THB386.78
1500 +	THB38.085	THB380.85

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-3920
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiSS12DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay Siliconix
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	TrenchFET
	Package Type	PowerPAK 1212
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-16V, +20V
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Power Dissipation Pd	65.7W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	59nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	3.15mm
	Height	1.07mm
	Standards/Approvals	No
	Length	3.15mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay Siliconix
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series TrenchFET
	Package Type PowerPAK 1212
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -16V, +20V
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Power Dissipation Pd 65.7W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 59nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 3.15mm
	Height 1.07mm
	Standards/Approvals No
	Length 3.15mm
	Automotive Standard No

Datasheet

สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น

COO (Country of Origin):: CN

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS(on) in a compact and thermally enhanced package

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS12DN-T1-GE3

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง